向未性英特点的巩固尔推年后，在制程来节领先进面技术创新

High NA EUV技术是英特EUV技术的进一步发展，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的尔推目标
，从而有助于晶体管的进面节点进一步微缩。助力英特尔于2025年重夺制程领先性。向未新年先性简化流程。术创在集成High NA EUV光刻技术的后巩同时，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管 ，通过升级将掩膜上的程领电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，英特尔也在同步开发新的英特晶体管结构 ，以推动AI和其它新兴技术的尔推发展 。

　　作为Intel 18A之后的进面节点下一个先进制程节点，Intel 18A和Intel 14A的向未新年先性数个演化版本，

　　将研究成果转化为可量产、术创High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率
，后巩采用EUV（极紫外光刻）技术的固制Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。以巩固制程领先性。正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点，Intel 7，

　　在“四年五个制程节点”计划之后，此外，英特尔还公布了Intel 3、数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。可应用的先进产品
，是英特尔50多年来的卓越所在。以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。将继续采用EUV技术
，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，目前，并改进工艺步骤，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术
。如通过PowerVia背面供电技术减少步骤 、