HBM3E 内存主要面向的出H存带商用领域 ,
点网缩短时间。海力划明
技术细节方面,士计升
SK 海力士称随着内存市场将在下半年开始复苏的年推E内预期越来越高,HBM3E 使用 SK 海力士 1b 制程生成 (SK 海力士第五代 10nm 节点),出H存带SK 海力士将其数据传输速率从 6.4GT/s 提升到 8.0GT/s,点网
根据 SK 海力士说明 ,海力划明到年末开始量产并准备出货。士计升更快的年推E内传输速率有助于提升高性能计算领域的性能,1b 制程已经被 SK 海力士用于生产适用于英特尔至强可扩展平台的出H存带 DDR5-6400 内存,那下半年应该就会试产,点网
当下 AI 热潮让 GPU 加速卡的内存不断提升,因此投产 HBM3E 内存对 SK 海力士来说应该不是难事 。该公司相信他们领先的 DRAM 技术将帮助公司提高下半年的盈利 。HBM3E 内存将在 2024 年上市,这让 SK 海力士有动力快速开发性能更好的技术。理论上说内存容量越大、为人工智能和高性能计算提供助力。
SK 海力士 (SK Hynix) 今天宣布推出基于 HBM3 内存的增强版:HBM3E,AI 模型训练时需要大量内存 ,
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