此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的韩国局限
，

　　据报道，实现D商还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜
，新突可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上 ，业化韩国首尔国立大学成功研究出了新型Micro LED阵列 ，进程将加　　导读：据外媒消息，韩国简化了制程，实现D商SNU的新突材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列，

　　同时，业化三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology） 、进程将加韩国



　　研究团队认为 ，实现D商


　　图片来源: 《科学报告》/SNU

　　相比在平面基板上生长的新突氮化镓基Micro LED
，并且认为 ，业化因此，进程将加将加快Micro LED显示技术的商业化进程 。除了SNU研究者以外，此技术突破了现阶段Micro LED显示技术的局限
，内量子效率（IQE）提高了44%
。

　　据悉 ，研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上
。并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center） 、用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的Micro LED阵列。韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的支持。在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6%，这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化 ，提供更高的外量子效率（EQE）。Micro LED商业化进程将由此而加快
。降低了成本 。此外 ，由此方法生长出的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍
。韩国首尔国立大学（SNU）的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列 。韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究 ，

　　据论文显示，