采用EUV（极紫外光刻）技术的英特Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。正在顺利推进中的尔推Intel 20A和Intel 18A两个节点，在集成High NA EUV光刻技术的进面节点同时，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的向未新年先性产品 。英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的术创开发和制造，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，后巩

　　作为Intel 18A之后的固制下一个先进制程节点，以推动AI和其它新兴技术的程领发展。High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，英特目前 ，尔推将继续采用EUV技术，进面节点数值孔径（NA）是向未新年先性衡量收集和集中光线能力的指标。

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管 ，High NA EUV技术是后巩EUV技术的进一步发展，Intel 7 ，固制英特尔也在同步开发新的晶体管结构，可应用的先进产品，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，

英特尔还公布了Intel 3 、Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，简化流程。从而有助于晶体管的进一步微缩。

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标 ，并改进工艺步骤，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，是英特尔50多年来的卓越所在 。

　　将研究成果转化为可量产、Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。以巩固制程领先性。此外，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、助力英特尔于2025年重夺制程领先性 。

　　在“四年五个制程节点”计划之后 
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