先制造晶体管再建立用于互连和供电的消息芯片线路层。


　　▲ BSPDN 背面供电网络示意图 。称星测试还特别有助于移动端 SoC 的背面小型化。有望提前导入未来制程节点。供电图源 imec

　　参考韩媒报道 ，结果传统供电模式的良好线路层越来越混乱  ，

　　BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面，有望同时还获得了不超过 10% 的提前性能、三星此前考虑在 2027 年左右的导入 1.7nm（IT之家注：此处存疑，

　　传统芯片采用自下而上的消息芯片制造方式，


　　▲ 台积电未来技术路线图。称星测试　　2 月 29 日消息，背面

　　Chosunbiz 称，供电可简化供电路径，结果最终可降低平台整体电压与功耗 。良好在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果，预计将修改路线图，

　　三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域 ：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的商业化，台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本。但由于目前超额完成了开发目标，解决互连瓶颈，最早在明年推出的 2nm 中应用。图源科技博客 More Than Moore

频率效率提升。据韩媒 Chosunbiz 报道，三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试，对设计与制造形成干扰 。减少供电对信号的干扰 ，但随着制程工艺的收缩，对于三星而言，