性能提升23%
，星宣芯片三星半导体官方微博表示
，布已三星能够调整纳米晶体管的量产
通道宽度
，三星使用的纳米GAA（Gate All Around）晶体管架构，该公司已经开始在其位于韩国的为全华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片
， 三星电子有限公司周四宣布 ，球首3nm GAA技术上 ，家量第一代3nm工艺可以使功耗降低45% ，产纳GAA的米芯设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利 ，性能提高23% ，公司
与采用窄通道纳米线的星宣芯片GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比
。有助于实现更好的布已PPA 优势 。功耗降低45%
，量产芯片面积减少35% 。纳米从而能够满足客户的为全多元需求 。芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50% ，
此外
，
是全球首家量产3纳米芯片的公司 。3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片
，性能提升30% ，与三星5nm工艺相比 ，优化功耗和性能 ，优化的3纳米（nm）工艺，
据介绍 ，该架构大大改善了功率效率 。芯片面积减少16%” 。
图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的芯片不同 ，“相较三星5纳米（nm）而言 ，
